STH315N10F7-6
Taotle hinda ja tarneaega
STH315N10F7-6 on saadaval. Pakume STH315N10F7-6, kasutage STH315N10F7-6 pirce'i ja tarneaja taotlemiseks hinnapakkumise vormi.Atosn.com professionaalne elektrooniliste komponentide edasimüüja. Meil on suur laovaru ja kiiret kohaletoimetamist. Võtke meiega ühendust juba täna ja meie müügiesindaja annab teile hinna ja saadetise üksikasjad osas # STH315N10F7-6. Lisage oma riigile vastavad tollivormistuse probleemid. Meil on professionaalne müügimeeskondja tehniline meeskond, loodame teiega koostööd teha.
Küsi pakkumist
Tooteparamistid
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (max)
- ±20V
- Tehnoloogia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Pakkuja seadme pakett
- H2PAK-6
- Seeria
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.3 mOhm @ 60A, 10V
- Voolukatkestus (max)
- 315W (Tc)
- Pakend
- Cut Tape (CT)
- Pakett / kott
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Muud nimed
- 497-14719-1
- Töötemperatuur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Paigaldus tüüp
- Surface Mount
- Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tootja Standardne pliiaeg
- 38 Weeks
- Lead Free status / RoHS staatus
- Lead free / RoHS Compliant
- Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
- 12800pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 180nC @ 10V
- FET tüüp
- N-Channel
- FET funktsioon
- -
- Ajami pinge (max rds on, min rds on)
- 10V
- Vooluallikas (Vdss)
- 100V
- Täpsem kirjeldus
- N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
- Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
- 180A (Tc)
Sarnased tooted
- STMicroelectronics STH315N10F7-6
- STH315N10F7-6 andmeleht
- STH315N10F7-6 andmeleht
- STH315N10F7-6 pdf-andmeleht
- Laadige alla STH315N10F7-6 andmeleht
- STH315N10F7-6 pilt
- STH315N10F7-6 osa
- ST STH315N10F7-6
- STMicroelectronics STH315N10F7-6